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参数资料
| 型号： | MWI60-12T6K |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.3V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 58A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 500µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 2.53nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E1 |
| 供应商设备封装： | E1 |
MWI 60-12T6K
Temperature Sensor NTC
Ratings
Symbol
R 25
B 25/85
Definitions
resistance
Conditions
T C = 25°C
min.
4.45
typ.
4.7
35 0
max.
5.0
Unit
k W
K
Module
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ.
max.
Unit
T VJ
T VJM
T stg
V ISOL
operating temperature
max. virtual junction temperature
storage temperature
isolation voltage
I ISOL < mA; 50/60 Hz
-40
-40
25
50
25
2500
°C
°C
°C
V~
M d
d S
d A
mounting torque
creep distance on surface
strike distance through air
(M4)
2.0
2.7
2.7
2.2
Nm
mm
mm
Weight
Equivalent Circuits for Simulation
40
g
I
V 0
R 0
Ratings
Symbol
V 0
R 0
V 0
R 0
Definitions
IGBT
free wheeling diode
Conditions
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
min.
typ.
.0
3
.5
4
max.
Unit
V
m W
V
m W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
2007 3a
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWI75-06A7T | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 |
| MWI75-12A8 | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 |
| MWI75-12T7T | IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3 |
| MWI75-12T8T | IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3 |
| MWI80-12T6K | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MWI75-12A5 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Modules Sixpack |
| MWI75-12A8 | 功能描述:分立半导体模块 IGBT MOD 1200V, 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI75-12A8T | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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