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参数资料
| 型号： | MWI150-06A8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TRANS 16BIY 3-PH 600V 115AMP |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，150A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 170A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1.5mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 6.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 515W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
| 其它名称： | Q2256181 |
MWI 150-06 A8
Diodes
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Conduction
I F25
I F80
T C = 25°C
T C = 80°C
210
130
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
V F
I RM
t rr
I F = 150 A; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I F = 150 A; di F /dt = -750 A/μs; T VJ = 125°C
V R = 300 V; V GE = 0 V
1.9
1.4
37
100
2.0
V
V
A
ns
IGBT (typ. at V GE = 15 V; T J = 125°C)
V 0 = 1.1 V; R 0 = 8 m Ω
Free Wheeling Diode (typ. at T J = 125°C)
V 0 = 1.1 V; R 0 = 2.25 m Ω
R thJC
(per diode)
0.41 K/W
Thermal Response
Module
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T JM
T stg
V ISOL
M d
operating
I ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz
Mounting torque (M5)
-40...+125
+150
-40...+125
2500
3-6
° C
° C
° C
V~
Nm
IGBT (typ.)
C th1 = 0.295 J/K; R th1 = 0.176 K/W
C th2 = 1.750 J/K; R th2 = 0.064 K/W
Free Wheeling Diode (typ.)
Symbol
Conditions
Characteristic Values
C th1 = 0.21 J/K; R th1 = 0.317 K/W
C th2 = 1.28 J/K; R th2 = 0.093 K/W
min. typ. max.
R pin-chip
1.8
m Ω
d S
d A
R thCH
Creepage distance on surface
Strike distance in air
with heatsink compound
10
10
0.01
mm
mm
K/W
Weight
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
300
g
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
20070912a
2-2
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参数描述 |
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