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参数资料
| 型号： | MWI100-12T8T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT TRENCH SIXPACK E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.1V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 145A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 4mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 7.21nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MWI100-12T8T
Inverter T1 - T6
200
200
V GE = 15 V
V GE = 13 V
15 V
11 V
160
T VJ = 25°C
160
17 V
19 V
I C
120
T VJ = 125°C
I C
120
[A]
80
[A]
80
T VJ = 125°C
9V
40
40
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
0
1
2
3
4
5
V CE [V]
Fig. 1 Typ. output characteristics
V CE [V]
Fig. 2 output characteristics
200
20
I C
= 100 A
I C
[A]
160
120
80
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
V GE
[V]
16
12
8
V CE = 600 V
40
4
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
V GE [V]
Fig. 3 Typ. transfer characteristics
Q G [nC]
Fig. 4 Typ. turn-on gate charge
28
24
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
E off
24
20
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
E
on
E
20
16
R G = 3.9 Ω
T VJ = 125°C
E on
E
16
12
I C = 100 A
T VJ = 125°C
Eoff
[mJ] 12
mJ
8
E rec
8
4
4
Erec
0
0
40
80
120
160
200
0
0
5
10
15
20
25
30
35
I C [A]
Fig. 5 Typ. switching energy vs. collector current
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
R G [ Ω ]
Fig. 6 Typ. switching energy vs. gate resistance
20100910c
5-7
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