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参数资料
| 型号： | MUBW75-12T8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.15V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 110A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 4mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 5.35nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 355W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MUBW 75-12 T8
Brake Chopper T7 / D7
70
100
60
T VJ = 25°C
80
I C
50
40
T VJ = 125°C
I F 60
[A] 30
[A] 40
20
10
20
T VJ = 125°C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V GE = 15 V
3.0
3.5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
T VJ = 25°C
2.0 2.5
3.0
3.5
V GE [V]
Fig. 0 Typical output characteristics
V F [V]
Fig. Typical forward characteristics of
free wheeling diode
E off
9
8
7
6
5
[mJ] 4
3
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
R G = 27
T VJ = 125°C
E off
[mJ]
6
5
4
3
2
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
I C = 35 A
T VJ = 125°C
2
1
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
10
I C [A]
Fig. 2 Typ. turn off energy vs. collector current
R G [ ]
Fig. 3 Typ. turn off energy vs. gate resistor
Temperature Sensor NTC
Z thJC
1
diode
IGBT
10000
[K/W]
0.1
single pulse
R
[ ]
1000
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
MUBW 5012T8
125 150
t [s]
Fig. 4 Transient thermal impedance
T [°C]
Fig. 5 Typ. termistor resistance
versus temperature
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2006 IXYS All rights reserved
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MUBW75-17T8 | MODULE IGBT CBI E3 |
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参数描述 |
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