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参数资料
| 型号： | MUBW50-12T8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.15V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 80A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 2.7mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 270W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MUBW 50-12 T8
Output Inverter T1 - T6
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V CES
V GES
I C25
I C80
I CM
P tot
T VJ = 25°C to 50°C
Continuous
T C = 25°C
T C = 80°C
T C = 80°C; t p = ms
T C = 25°C
200
± 20
80
50
00
270
V
V
A
A
A
W
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V CE(sat)
V GE(th)
I CES
I C = 50 A; V GE = 5 V
I C = 2 mA; V GE = V CE
V CE = V CES ; V GE = 0 V
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
5
.7
2.0
5.8
0.7
2. 5
6.5
2.7
V
V
V
mA
mA
I GES
C ies
Q Gon
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
RBSOA
t SC
(SCSOA)
R thJC
V CE = 0 V; V GE = ± 20 V
V CE = 25 V; V GE = 0 V; f = MHz
V CE = 600 V; V GE = 5 V; I C = 50 A
Inductive load, T VJ = 25°C
V CE = 600 V; I C = 50 A
V GE = ± 5 V; R G = 8 ?
I C = I CM ; V GE = 5 V
R G = 8 ? ; T VJ = 25°C
V CE = 720 V; V GE = ± 5 V; R G = 8 ?
t P < 0 μs; non-repetitive; T VJ = 25°C
400
3.5
470
90
50
520
90
5
6.5
V CEK < V CES - L S di/dt
200
0.46
nA
nF
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
V
A
K/W
Output Inverter D1 - D6
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I F25
I F80
T C = 25°C
T C = 80°C
00
50
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
V F
I F = 50 A;
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
2.
.6
2.6
V
V
I RM
Q rr
t rr
E rec
R thJC
I F = 60 A; di F /dt = - 200 A/μs;
T VJ = 25°C; V R = 600 V; V GE = 0 V
(per diode)
90
0
60
4
0.65
A
μC
ns
mJ
K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2006 IXYS All rights reserved
2-7
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