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参数资料
| 型号： | MTB30P06VT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET D2PAK |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MTB30P06VT4GOSDKR |
MTB30P06V, MTBV30P06V
PACKAGE DIMENSIONS
? T ?
SEATING
PLANE
1
? B ?
4
2
G
3
S
D 3 PL
0.13 (0.005)
M
T B
M
K
C
H
D 2 PAK 3
CASE 418B ? 04
ISSUE K
E
V
W
A
W
J
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B ? 01 THRU 418B ? 03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B ? 04.
INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.340 0.380 8.64 9.65
B 0.380 0.405 9.65 10.29
C 0.160 0.190 4.06 4.83
D 0.020 0.035 0.51 0.89
E 0.045 0.055 1.14 1.40
F 0.310 0.350 7.87 8.89
G 0.100 BSC 2.54 BSC
H 0.080 0.110 2.03 2.79
J 0.018 0.025 0.46 0.64
K 0.090 0.110 2.29 2.79
L 0.052 0.072 1.32 1.83
M 0.280 0.320 7.11 8.13
N 0.197 REF 5.00 REF
P 0.079 REF 2.00 REF
R 0.039 REF 0.99 REF
S 0.575 0.625 14.60 15.88
V
0.045 0.055
1.14 1.40
VARIABLE
CONFIGURATION
ZONE
R
N
U
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
P
M
F
VIEW W ? W
1
L
M
F
VIEW W ? W
2
L
M
F
VIEW W ? W
3
L
SOLDERING FOOTPRINT*
10.49
8.38
16.155
2X
3.504
2X
1.016
5.080
PITCH
DIMENSIONS: MILLIMETERS
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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