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参数资料
| 型号： | MRF5S9101MBR1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4, 4 PIN |
| 文件页数： | 4/20页 |
| 文件大小： | 542K |
| 代理商： | MRF5S9101MBR1 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS - 800 MHz
910
82
64
850
SR 400 kHz
Pout = 50 W Avg.
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 20. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
SPECTRAL
REGROWTH
@
400
kHz
AND
600
kHz
(dBc)
SR 600 kHz
40 W Avg.
25 W Avg.
Pout = 50 W Avg.
40 W Avg.
25 W Avg.
66
68
70
72
74
76
78
80
860
870
880
900
890
VDD = 28 Vdc
IDQ = 650 mA
90
80
45
0
TC = 25_C
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 21. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
VDD = 28 Vdc
IDQ = 650 mA
f = 880 MHz
SPECTRAL
REGROWTH
@
400
kHz
(dBc)
10
20
30
40
50
60
70
80
50
55
60
65
70
75
90
85
65
0
TC = 25_C
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 22. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
VDD = 28 Vdc
IDQ = 650 mA
f = 880 MHz
SPECTRAL
REGROWTH
@
400
kHz
(dBc)
70
75
80
10
20
30
40
50
60
70
80
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MRF5S9101NBR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF5S9101NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9150HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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