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参数资料
| 型号： | MRF5S9080NR1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB-4, 4 PIN |
| 文件页数： | 4/20页 |
| 文件大小： | 755K |
| 代理商： | MRF5S9080NR1 |
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS - 800 MHz
920
85
50
840
SR @ 400 kHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 22. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
SPECTRAL
REGROWTH
@
400
kHz
and
600
kHz
(dB
VDD = 28 Vdc
IDQ = 550 mA
f = 880 MHz
EDGE Modulation
60
70
80
850
860
870
880
890
900
910
Pout = 50 W Avg.
20 W Avg.
5 W Avg.
55
65
75
SR @ 600 kHz
50 W Avg.
20 W Avg.
5 W Avg.
100
75
45
1
TC = 25_C
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 23. Spectral Regrowth @ 400 kHz
versus Output Power
SPECTRAL
REGROWTH
@
400
kHz
(dBc)
55
65
50
60
70
10
VDD = 28 Vdc
IDQ = 550 mA
f = 880 MHz
EDGE Modulation
100
85
65
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 24. Spectral Regrowth @ 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL
REGROWTH
@
600
kHz
(dBc)
75
80
10
70
TC = 25_C
VDD = 28 Vdc
IDQ = 550 mA
f = 880 MHz
EDGE Modulation
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