- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98038 > MRF5S4140HR3 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF5S4140HR3 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
| 文件页数： | 7/20页 |
| 文件大小： | 832K |
| 代理商： | MRF5S4140HR3 |
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS — 489-499 MHz
11
5
8
17
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc),
AL
T1
(dBc)
510
480
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 21. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout = 28 Watts Avg.
505
500
495
490
485
65
33
29
25
45
55
60
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
50
27
31
21.7
21.4
20.8
20.2
19.9
19.3
19
19.6
20.5
21.1
ALT1
14
VDD = 28 Vdc, Pout = 28 W (Avg.), IDQ = 1250 mA
NCDMA IS95 (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13)
12
6
8
10
16
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc),
AL
T1
(dBc)
510
480
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 22. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout = 56 Watts Avg.
505
500
495
490
485
60
47
42
37
35
45
50
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
55
40
39.5
44.5
22
21.5
20.5
19.5
18.5
17.5
17
18
19
20
21
14
IRL
Gps
ACPR
ηD
ALT1
VDD = 28 Vdc, Pout = 56 W (Avg.), IDQ = 1250 mA
NCDMA IS95 (Pilot, Sync, Paging, Traffic
Codes 8 Through 13)
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
3
OCT
08
LAST
SHIP
14
MA
Y
09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S4140HSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S9070MR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MRF5S9070NR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA |
| MRF5S9080NR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MRF5S9080NBR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S4140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9070MR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S9070NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 70W RF POWER FET TO270 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。