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参数资料
| 型号： | MRF5S21150SR3 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 382K |
| 代理商： | MRF5S21150SR3 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
Fr
eescale
Semiconductor
,Inc.
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF5S21150R3 MRF5S21150SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
Figure 2. MRF5S21150 Test Circuit Component Layout
MRF5S21150
C1
R1
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C19
C20
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CUT
OUT
AREA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S21150R3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S4140HR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S4140HSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S9070MR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MRF5S9070NR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S4125NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4125NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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