- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98038 > MRF5S21150HR3 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF5S21150HR3 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 398K |
| 代理商： | MRF5S21150HR3 |
MRF5S21150HR3 MRF5S21150HSR3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
ηD
2220
2060
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ Pout = 33 Watts Avg.
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
30
10
15
20
25
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
VDD = 28 Vdc, Pout = 33 W (Avg.), IDQ = 1300 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing,
3.84 MHz Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
5
13
12
11
10
9
8
7
6
44
35
30
25
20
28
32
36
40
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
100
10
14
1
IDQ = 1900 mA
1600 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
,P
O
WER
G
AIN
(dB)
VDD = 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
700 mA
1300 mA
1000 mA
13
12
11
10
1000
55
25
1
IDQ = 700 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
1600 mA
1300 mA
1000 mA
1900 mA
10
30
35
40
45
50
100
65
60
VDD = 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
10
60
25
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
VDD = 28 Vdc, Pout = 150 W (PEP), IDQ = 1300 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
5th Order
3rd Order
30
35
40
45
50
55
1
100
47
58
P3dB = 53.41 dBm (219.28 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1300 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 2140 MHz
56
54
52
50
48
37
39
41
Actual
Ideal
P1dB = 52.73 dBm (187.5 W)
43
45
35
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
THIRD
ORDER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S21150HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S21150SR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S21150R3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S4140HR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S4140HSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S21150HR5 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S21150HSR3 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S21150HSR5 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S21150R3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF5S21150S | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。