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参数资料
| 型号： | MRF5S19060NBR1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| 封装： | PLASTIC, CASE 1484-02, 4 PIN |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 401K |
| 代理商： | MRF5S19060NBR1 |
MRF5S19060NR1 MRF5S19060NBR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. MRF5S19060NR1(NBR1) Test Circuit Component Layout
VGG
R1
R2 C1 C2
R3
C3
C4 C5
VDD
C6
C7
C8
C9
C13
C14
C15
C10
C11
C12
CUT
OUT
AREA
MRF5S19060N
Rev 0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S19060NR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MRF5S19060NBR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| MRF5S19090HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S19090LSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S19090LR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF5S19060NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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| MRF5S19090HR5 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S19090HSR3 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
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