收藏本站
参数资料
型号： MRF5S19060MR1
厂商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 功率晶体管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封装： PLASTIC, CASE 1486-03, 4 PIN
文件页数： 11/16页
文件大小： 498K
代理商： MRF5S19060MR1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S19060MR1 MRF5S19060MBR1
Figure 1. MRF5S19060MR1/MBR1 Test Circuit Schematic
Z8*
0.420″ x 0.083″ Microstrip
Z9*
0.975″ x 0.083″ Microstrip
Z10
0.250″ x 0.083″ Microstrip
Z11
0.700″ x 0.080″ Microstrip
Z12
0.700″ x 0.080″ Microstrip
PCB
Taconic TLX8-0300, 0.030″, εr = 2.55
* Variable for tuning
Z1
0.250″ x 0.083″ Microstrip
Z2*
0.500″ x 0.083″ Microstrip
Z3*
0.500″ x 0.083″ Microstrip
Z4*
0.515″ x 0.083″ Microstrip
Z5
0.480″ x 1.000″ Microstrip
Z6
1.140″ x 0.080″ Microstrip
Z7
0.600″ x 1.000″ Microstrip
RF
INPUT
DUT
C8
+
C1
C2
C9
R2
R1
Z6
R3
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
C7
C3
+
C4
+
C5
+
C6
Z11
RF
OUTPUT
Z7
Z8
Z9
Z10
C12
C10
C11
VSUPPLY
VBIAS
C13
C14
C15
++
Z12
Table 6. MRF5S19060MR1/MBR1 Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
C1
1 μF, 35 V Tantalum Capacitor
TAJB105K35
AVX
C2
10 pF 100B Chip Capacitor
100B10R0CW
ATC
C3, C7, C12, C13
6.8 pF 100B Chip Capacitors
100B6R8CW
ATC
C4, C5, C14, C15
10 μF, 35 V Tantalum Capacitors
TAJD106K035
AVX
C6
220 μF, 63 V Electrolytic Capacitor, Radial
13668221
Philips
C8
0.8 pF 100B Chip Capacitor
100B0R8BW
ATC
C9
1.5 pF 100B Chip Capacitor
100B1R5BW
ATC
C10
1.0 pF 100B Chip Capacitor
100B1R0BW
ATC
C11
0.2 pF 100B Chip Capacitor
100B0R2BW
ATC
R1, R2
10 kW, 1/4 W Chip Resistors (1206)
R3
10 W, 1/4 W Chip Resistors (1206)
相关PDF资料
PDF描述
MRF5S19060NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MRF5S19060NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S19060NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF5S19060NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S19090HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF5S19060NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 60W 28V TO272WB4N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S19060NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 60W 28V TO270WB4N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S19060NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19090HR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S19090HR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*