参数资料
型号: MPSW51ARLRA
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
文件页数: 7/34页
文件大小: 320K
代理商: MPSW51ARLRA
7–13
Surface Mount Information
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
SOT–363
(SC–70 6 LEAD)
0.5 mm (min)
0.4
mm
(min)
0.65
mm
0.65
mm
1.9 mm
SOD–123
mm
inches
0.91
0.036
1.22
0.048
2.36
0.093
4.19
0.165
inches
mm
0.028
0.7
0.074
1.9
0.037
0.95
0.037
0.95
0.094
2.4
0.039
1.0
TSOP–6
相关PDF资料
PDF描述
MPSW51ARL1 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51ARL 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51RLRM 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51RL 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51RLRE 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
MPSW51ARLRAG 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51ARLRP 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51ARLRPG 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51G 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 40V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51RLRAG 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Current Transistors