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参数资料
| 型号： | MPSH81 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 27/35页 |
| 文件大小： | 320K |
| 代理商： | MPSH81 |
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Reliability and Quality Assurance
9–20
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
UCL
LCL
UCL
LCL
CENTERLINE
A
B
C
B
A
B
C
B
A
B
C
B
A
B
C
B
A
ZONE A (+ 3 SIGMA)
ZONE B (+ 2 SIGMA)
ZONE C (+ 1 SIGMA)
ZONE C (– 1 SIGMA)
ZONE B (– 2 SIGMA)
ZONE A (– 3 SIGMA)
Figure 5. Control Chart Zones
Figure 6. One Point Outside Control Limit
Indicating Excessive Variability
Figure 7. Two Out of Three Points in Zone A or
Beyond Indicating Excessive Variability
Figure 8. Four Out of Five Points in Zone B or
Beyond Indicating Excessive Variability
Figure 9. Seven Out of Eight Points in Zone C or
Beyond Indicating Excessive Variability
SUMMARY
Motorola is committed to the use of STATISTICAL
PROCESS CONTROLS. These principles, used throughout
manufacturing have already resulted in many significant
improvements to the processes. Continued dedication to the
SPC culture will allow Motorola to reach the Six Sigma and
zero defect capability goals. SPC will further enhance the
commitment to TOTAL CUSTOMER SATISFACTION.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSL01ZL1 | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSL01RLRA | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSL01RL1 | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSL01RLRM | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSL01RLRE | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSH81 D26Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 20V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT PNP 20V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R |
| MPSH81/D75Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| MPSH81_D26Z | 功能描述:射频双极小信号晶体管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MPSH81_D27Z | 功能描述:射频双极小信号晶体管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MPSH81_D75Z | 功能描述:射频双极小信号晶体管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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