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参数资料
| 型号： | MMBTA65D87Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 616K |
| 代理商： | MMBTA65D87Z |
MPSA65
/
MMBT
A65
/
PZT
A65
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CES
Collector-Em itter Breakdown
Voltage
IC = 100
A, IB = 0
30
V
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 30 V, IE = 0
100
nA
IEBO
Em itter-Cutoff Current
VEB = 8.0 V, IC = 0
100
nA
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
50,000
20,000
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 100 mA, IB = 0.1 mA
1.5
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
2.0
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V,
f = 100 MHz
100
MHz
PNP Darlington Transistor
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MPSA65D27Z | 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA65D74Z | 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA70RLRE | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA70RLRA | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA70RL | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTA70LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA70LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA92 | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA92 T/R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MMBTA92,215 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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