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参数资料
型号： MITA15WB1200TMH
厂商： IXYS
文件页数： 2/4页
文件大小： 0K
描述： MODULE IGBT CBI
标准包装： 20
IGBT 类型： 沟道
配置： 三相反相器，带制动器
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 2.2V @ 15V，15A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 30A
电流 - 集电极截止（最大）： 600µA
Vce 时的输入电容 (Cies)： 1.1nF @ 25V
功率 - 最大： 120W
输入： 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻： 是
安装类型： 底座安装
封装/外壳： MiniPack2
供应商设备封装： 迷你型Pack2
Output Inverter T1 - T6
Advanced Technical Information
MITA15WB1200TMH
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Conduction
V CES
T VJ = 25°C to  50°C
 200
V
V GES
V GEM
I C25
I C80
Continuous
Transient
T C = 25°C
T C = 80°C
± 20
± 30
30
2 
V
V
A
A
I
V 0
R 0
RBSOA
t SC
(SCSOA)
P tot
V GE = ± 5 V; R G = 75 W ; T VJ =  25°C
Clamped inductive load; L =  00 μH
V CE = 720 V; V GE = ± 5 V; R G = 75 W
T VJ =  25°C; non-repetitive
T C = 25°C
I CM = 30
V CEK < V CES
 0
 20
A
μs
W
D8 - D13
Rectifier Diode (typ. at T J =  25°C)
V 0 = 0.90 V; R 0 = 12 m W
T1 - T6 / D1 - D6
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
IGBT (typ. at V GE =  5 V; T J =  25°C)
V 0 = 0.9 V; R 0 = 80 m W
Free Wheeling Diode (typ. at T J =  25°C)
V 0 = 1.35 V; R 0 = 41 m W
V CE(sat)
I C =  5 A; V GE =  5 V;
T VJ = 25°C
T VJ =  25°C
 .8
2. 
2.2
V
V
T7 / D7
V GE(th)
I CES
I GES
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
I C = 0.5 mA; V GE = V CE
V CE = V CES ; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ =  25°C
V CE = 0 V; V GE = ± 20 V
Inductive load, T VJ =  25°C
V CE = 600 V; I C =  5 A
V GE = ± 5 V; R G = 75 W
5
0.8
90
50
520
90
2. 
 .5
6.5
0.6
 50
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
IGBT (typ. at V GE =  5 V; T J =  25°C)
V 0 = 0.9 V; R 0 = 80 m W
Free Wheeling Diode (typ. at T J =  25°C)
V 0 = 1.45 V; R 0 = 63 m W
Thermal Response
C ies
Q Gon
R thJC
R thCH
V CE = 25 V; V GE = 0 V; f =   MHz
V CE = 600 V; V GE =  5 V; I C =  5 A
(per IGBT)
  00
 50
0.35
 . 
pF
nC
K/W
K/W
P V
T J
R th1
C th1
R th2
C th2
T C
Output Inverter D1 - D6
Symbol Conditions
Maximum Ratings
D8 - D13
I F25
I F80
T C = 25°C
T C = 80°C
24
 6
A
A
Rectifier Diode (typ.)
C th1 = tbd J/K; R th1 = tbd K/W
C th2 = tbd J/K; R th2 = tbd K/W
Symbol
Conditions
Characteristic Values
T1 - T6 / D1 - D6
min.
typ.
max.
IGBT (typ.)
V F
I F =  0 A; V GE = 0 V;
T VJ = 25°C
T VJ =  25°C
 .5
2.4
V
V
C th1 = tbd J/K; R th1 = tbd K/W
C th2 = tbd J/K; R th2 = tbd K/W
I RM
t rr
R thJC
R thCH
V R = 600 V; di F /dt = -400A/μs
I F =  0 A; V GE = 0 V; T VJ =  25°C
(per diode)
 6
 25
0.55
 .6
A
ns
K/W
K/W
Free Wheeling Diode (typ.)
C th1 = tbd J/K; R th1 = tbd K/W
C th2 = tbd J/K; R th2 = tbd K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
2-4
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PDF描述
MITB10WB1200TMH MODULE IGBT CBI
MITB15WB1200TMH MODULE IGBT CBI
MK-6000 KIT SURFBOARD DISCRETE 46PCS
MK-US-260 KIT UNI-SIP ASSORTMENT 52PCS
MKI100-12F8 MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3
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参数描述
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