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参数资料
| 型号： | MII300-12A4 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT RBSOA 1200V 330A Y3-DCB |
| 标准包装： | 2 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，200A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 330A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 13mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 13nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1380W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y3-DCB |
| 供应商设备封装： | Y3-DCB |
MII 300-12A4
MID 300-12A4
MDI 300-12A4
E on
80
MJ
60
E on
t d(on)
160
ns
120
t
80
MJ
E OFF 60
t D(OFF)
800
ns
600
t
40
t r
V CE = 600V
80
40
E OFF
V CE = 600V
400
V GE = ±15V
V GE = ±15V
20
R G = 3.3 ?
T J = 125°C
40
20
R G = 3.3 ?
T J = 125°C
200
0
0
100
200
300
0
400 A 500
0
0
100
200
300
t F
400
0
A 500
I C
I C
FIG. 7
TYP. TURN ON ENERGY AND SWITCHING
FIG. 8
TYP. TURN OFF ENERGY AND SWITCHING
times versus collector current
E on
100
MJ
80
60
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 200A
T J = 125°C
E on
t d(on)
400
ns
320
240
t
E OFF
50
MJ
40
30
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 200A
T J = 125°C
E OFF
t D(OFF)
2000
ns
1600
1200
t
40
20
t r
160
80
20
10
800
400
t F
0
0
4
8
12
16
20
0
24 ? 28
0
0
4
8
12
16
20
0
24 ? 28
R G
R G
FIG. 9
TYP. TURN ON ENERGY AND SWITCHING
FIG.10 TYP. TURN OFF ENERGY AND SWITCHING
500
A
400
times versus gate resistor
1
K/W
0.1
times versus gate resistor
I CM
300
Z THJC
0.01
diode
IGBT
R G = 3.3 ?
200
T J = 125°C
V CEK < V CES
0.001
100
0.0001
single pulse
0
0
200
400
600
800 1000 1200 V
0.00001
0.00001 0.0001
0.001
0.01
0.1
300-12
s
1
V CE
FIG. 11 REVERSE BIASED SAFE OPERATING AREA
RBSOA
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
t
FIG. 12 TYP. TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
20090812a
4-4
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