参数资料
型号: MIAA20WE600TMH
厂商: IXYS
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI
标准包装: 20
IGBT 类型: NPT
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.7V @ 15V,20A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 29A
电流 - 集电极截止(最大): 1.1mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 0.9nF @ 25V
功率 - 最大: 100W
输入: 单相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: MiniPack2
供应商设备封装: 迷你型Pack2
Advanced Technical Information
MIAA20WE600TMH
18
2.2
17
16
15
14
13
12
11
10
Ic = 20A
Vce = 300V
2
1.8
1.6
1.4
1.2
Eon
Eoff
Erec
Vce = 300V
Vge = +/-15V
Rg = 47 W
Tvj = 125°C
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Qg [nC]
Typical turn on gate charge
Ic, If [A]
Typical switching energy versus collector current
1.4
1.3
1.2
1.1
1
Eon
Eoff
Erec
Ic, If = 20A
Vce = 300V
Vge = +/-15V
11
10.5
10
9.5
Irr
trr
220 W
If = 20A
Vce = 300V
Vge = +/-15V
Tvj = 125°C
47W
200
190
180
170
0.9
Tvj = 125°C
0.8
0.7
0.6
9
8.5
8
100 W
160
150
140
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
7.5
7
6.5
6
220 W
100 W
47W
130
120
110
100
25
50
75
100
125
150
175
200
225
175
200
225
250
275
300
325
350
375
400
Rg [ W ]
Typical switching energy versus gate resistance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
dif/dt [A/μs]
Typical turn-off characteristics of free wheeling diode
20080326b
7-8
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