参数资料
型号: MEO550-02DA
厂商: IXYS
文件页数: 2/2页
文件大小: 0K
描述: DIODE FRED 200V 582A 150NS
产品目录绘图: Module Y4-M6
标准包装: 5
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 520A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5mA @ 200V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 582A
电压 - (Vr)(最大): 200V
反向恢复时间(trr): 200ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 单路
安装类型: 底座安装
封装/外壳: Y4-M6
供应商设备封装: Y4-M6
包装: 散装
其它名称: Q1147009A
MEO 550-02 DA
I F = 275A
I F
800
A
700
600
500
400
T VJ =125 ° C
T VJ = 25 ° C
Q r
3.0
T = 100 ° C
R
C V VJ = 100V
2.5
I F =1100A
I F = 550A
2.0
1.5
I RM
60
A
50
40
30
T VJ = 100 ° C
V R = 100V
I F =1100A
I F = 550A
I F = 275A
300
200
100
0
1.0
0.5
0.0
20
10
0
0.0
0.5
1.0
V
1.5
100
A/ s 1000
0
200
400
600
A/ s
800 1000
V F
Fig. 1 Forward current I F versus
max. voltage drop V F per leg
-di F /dt
Fig. 2 Typ. reverse recovery
charge Q r versus -di F /dt
-di F /dt
Fig. 3 Typ. peak reverse current I RM
versus -di F /dt
2.0
1.5
t rr
220
ns
200
T VJ = 100 ° C
V R = 100V
60
V
V FR
T VJ = 100 ° C
I F = 550A
V FR
6
μ s
5
t fr
K f
180
40
4
t fr
1.0
160
3
I RM
140
I F =1100A
I F = 550A
I F = 275A
20
2
0.5
Q r
120
1
0.0
100
0
0
0
40
80
120 ° C 160
0
200
400
600
A/ s
800 1000
0
200
400
600
A/
800s 1000
T VJ
Fig. 4 Dynamic parameters Q r , I RM
versus junction temperature T VJ
1
-di F /dt
Fig. 5 Typ. recovery time t rr
versus -di F /dt
di F /dt
Fig. 6 Typ. peak forward voltage V FR
and t fr versus di F /dt
Constants for Z thJS calculation:
K/W
0.1
thJS
Z thJH
i
1
2
3
4
R thi (K/W)
0.001
0.004
0.027
0.082
t i (s)
0.08
0.024
0.112
0.464
0.01
0.001
MEO 550-02
0.001
0.01
0.1
1
s
10
Fig. 7 Transient thermal impedance junction to heatsink
? 2000 IXYS All rights reserved
t
2-2
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