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参数资料
| 型号： | MDD312-22N1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD DIODE DUAL 2200V Y1-CU |
| 标准包装： | 2 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.32V @ 600A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 30mA @ 2200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 310A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 2200V（2.2kV） |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y1-CU |
| 供应商设备封装： | Y1-CU |
| 包装： | 散装 |
MDD 312
I t
[A s]
I FSM
[A]
10000
8000
6000
4000
50 Hz
80 % V RRM
T VJ = 45°C
T VJ = 150°C
10 6
2
2
V R = 0 V
T VJ = 45°C
T VJ = 150°C
500
400
I FAVM
300
[A]
200
DC
180° sin
120°
60°
30°
2000
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10 5
1
10
0
0
25
50
75
100 125 150
Fig. 2 I t versus time (1-10 ms)
t [s]
Fig. 1 Surge overload current
I FSM : Crest value, t: duration
2
t [ms]
T C [°C]
Fig. 3 Maximum forward current
at case temperature
P tot
[W]
600
500
400
300
200
DC
180° sin
120°
60°
R thKA K/W
0.06
0.1
0.2
0.3
0.4
0.6
0.8
I RM
[A]
600
500
400
300
200
T VJ = 125°C
V R = 600 V
IF = 400 A
30°
100
100
0
0
100
200
300
400
500
0
25
50
75
100
125
150
0
0
50
100
150
200
I FAVM [A]
T A [°C]
di F /dt [A/μs]
1750
Fig. 4 Power dissipation vs. forward current & ambient temperature (per diode)
25
Fig. 5 Typ. peak reverse current
P tot
[W]
1500
1250
1000
750
R
Circuit
L
R thKA K/W
0.04
0.06
0.08
0.12
0.2
0.3
0.5
20
t rr 15
[μs]
10
T VJ = 125°C
V R = 600 V
IF = 400 A
500
250
B2U
2 x MDD312
5
0
0
100 200 300 400 500 600
0
25
50
75
100
125
150
0
0
50
100
150
200
I dAVM [A]
T A [°C]
di F /dt [A/μs]
Fig. 6 Single phase rectifier bridge: Power dissipation vs. direct output current
and ambient temperature R = resistive load, L = inductive load
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2013 IXYS All rights reserved
Fig. 7 Typ. recovery time t rr
versus -di F /dt
20130813g
3-4
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