参数资料
型号: MC74HC86ADR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/8页
文件大小: 0K
描述: IC GATE OR EXCL QUAD 2INP 14SOIC
标准包装: 1
系列: 74HC
逻辑类型: XOR(异或)
电路数: 4
输入数: 2
电源电压: 2 V ~ 6 V
电流 - 静态(最大值): 1µA
输出电流高,低: 5.2mA,5.2mA
逻辑电平 - 低: 0.5 V ~ 1.8 V
逻辑电平 - 高: 1.5 V ~ 4.2 V
额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟: 17ns @ 6V,50pF
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
供应商设备封装: 14-SOICN
封装/外壳: 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1122 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MC74HC86ADR2GOSDKR
MC74HC86A
http://onsemi.com
4
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Unit
Guaranteed Limit
VCC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
Unit
v 125_C
v 85_C
– 55 to
25_C
VCC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
Iin
Maximum Input Leakage Current
Vin = VCC or GND
6.0
± 0.1
± 1.0
± 1.0
mA
ICC
Maximum Quiescent Supply
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 mA
6.0
1.0
10
40
mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input t, = tf = 6 ns)
Symbol
Parameter
VCC
V
Guaranteed Limit
Unit
– 55 to
25_C
v 85_C
v 125_C
tPLH,
tPHL
Maximum Propagation Delay, Input A or B to Output Y
(Figures 1 and 2)
2.0
3.0
4.5
6.0
100
80
20
17
125
90
25
21
150
110
31
26
ns
tTLH,
tTHL
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 2)
2.0
3.0
4.5
6.0
75
30
15
13
95
40
19
16
110
55
22
19
ns
Cin
Maximum Input Capacitance
—
10
10
10
pF
CPD
Power Dissipation Capacitance (Per Gate)*
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
pF
33
* Used to determine the noload dynamic power consumption: PD = CPD VCC2f + ICC VCC.
*Includes all probe and jig capacitance
CL*
TEST POINT
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
Figure 1. Switching Waveforms
Figure 2. Test Circuit
OUTPUT Y
INPUT
A OR B
90%
50%
10%
tTLH
tTHL
tPLH
tPHL
tr
tf
GND
VCC
90%
50%
10%
A
B
Y
Figure 3. Expanded Logic Diagram
(1/4 of Device)
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