参数资料
| 型号： | MC33174DR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 11/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP QUAD LOW POWER 14SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 4 |
| 转换速率： | 2.1 V/µs |
| 增益带宽积： | 1.8MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 20nA |
| 电压 - 输入偏移： | 2000µV |
| 电流 - 电源： | 220µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 27mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 44 V，±1.5 V ~ 22 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MC33174DR2OSDKR |
MC33171, 2, 4, NCV33172, 4
http://onsemi.com
5
1. TA = -55°C
2. TA = 25°C
3. TA = 125°C
Dual
Quad
1
2
3
Single
3
2
1
2
3
VCC/VEE = ±15 V
AV = +1.0
RL = 10 k
CL = 100 pF
TA = 25°C
AV = 1000
AV = 100
AV = 10
AV = 1.0
Figure 4. Open Loop Voltage Gain and
Phase versus Frequency
Figure 5. Phase Margin and Percent
Overshoot versus Load Capacitance
Figure 6. Normalized Gain Bandwidth Product
and Slew Rate versus Temperature
Figure 7. Small and Large Signal
Transient Response
Figure 8. Output Impedance and Frequency
Figure 9. Supply Current versus Supply Voltage
0
5.0
ms/DIV
50
mV/DIV
10
V/DIV
5.0
ms/DIV
f, FREQUENCY (Hz)
,EXCESS
P
AHSE
(DEGREES)
φ
1
2
3
4
120
140
160
180
200
220
,OPEN
LOOP
VOL
TA
GE
GAIN
(dB)
VOL
Gain
Margin
= 15 dB
Phase
Margin
= 58
°
VCC/VEE = ±15 V
RL = 10 k
Vout = 0 V
TA = 25°C
1 - Phase
2 - Phase, CL = 100 pF
3 - Gain
4 - Gain, CL = 100 pF
m,
PHASE
MARGIN
(DEGREES)
φ
CL, LOAD CAPACITANCE (pF)
70
60
50
40
30
20
10
%,
PERCENT
OVERSHOOT
%
fm
0
VCC/VEE = ±15 V
AVOL = +1.0
RL = 10 k
DVO = 20 mVpp
TA = 25°C
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
GBW
AND
SR
(NORMALIZED)
GBW
SR
VCC/VEE = ±15 V
RL = 10 k
f, FREQUENCY (Hz)
z
,OUTPUT
IMPEDANCE
()Ω
o
VCC/VEE, SUPPLY VOLTAGE (±V)
DI,
I,
POWER
SUPPL
Y
CURRENT
(mA)
CC
A
3
0
20
10
0
-10
-20
-30
70
60
50
40
30
20
10
0
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
140
120
100
80
60
40
20
0
1.1
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
100 k
1.0 M
10 M
10
20
50
100
200
500
1.0 k
-55
-25
0
25
50
75
100
125
200
2.0 k
20 k
200 k
2.0 M
0
5.0
10
15
20
25
VCC/VEE = ±15 V
VCM = 0 V
VO = 0 V
DIO = ±0.5 mA
TA = 25°C
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