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参数资料
| 型号： | MBRB2060CTHE3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 502K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20A 60V DUAL |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
MBR(F,B)2035CT thru MBR(F,B)2060CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88674
Revision: 08-Nov-07
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
100
10
1.0
0.1
0.01
MBR2035CT - MBR2045CT
MBR2050CT & MBR2060CT
0 0.20.1 1.0 1.1 1.20.3 0.6 0.7 0.0.4
0.5 0.98
TJ
= 150 °C
TJ
= 25 °C
Pulse Width = 300 μs
1 %
D
uty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
1
10
100
0.01
0.001
0.1
0 10020
40 60
80
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
TJ
= 75 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
MBR2035CT - MBR2045CT
MBR2050CT & MBR2060CT
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
10
1
100
1000
10 000
100
0.1
MBR2035CT - MBR2045CT
MBR2050CT & MBR2060CT
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capacitance (pF)
0.01
10
1
100
10
100
0.1
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 387-012-524-802 | CARDEDGE 12POS DL .156 PCB BLK |
| 346-044-541-804 | CARDEDGE 44POS DUAL .125 GREEN |
| MBRB2060CT-E3/45 | DIODE SCHOTTKY 20A 60V DUAL |
| A7PSB-2506M | CABLE D-SUB-AMM25B/AE25M/AFM25B |
| 346-044-541-802 | CARDEDGE 44POS DUAL .125 GREEN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB2060CTT4 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB2060CTT4G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB2060CT-TP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 20736 MARILLA STREET CHATSWORTH |
| MBRB2060CTTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:800mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 60V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 |
| MBRB2070CT | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:DUAL SCHOTTKY RECTIFIERS |
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