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参数资料
| 型号： | MBR2050CTHE3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 502K |
| 描述： | DIODE SCHOT 20A 50V DUAL TO220-3 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
MBR(F,B)2035CT thru MBR(F,B)2060CT
Vishay General Semiconductor
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
Document Number: 88674
Revision: 08-Nov-07
4
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
in inches (millimeters)
TO-220AB
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.415 (10.54) MAX.
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
PIN
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.035 (0.90)
0.028
(0.70)
0.154 (3.91)
0.148
(3.74)
1
3
2
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148
(29.16)
1.118
(2
8.40)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
ITO-220AB
0.076 (1.93) REF.
45° REF.
PIN
3
2
1
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 (1.93) REF.
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.028
(0.71)
0.020 (0.51)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
7° REF.
0.135 (3.43) DIA.
0.122 (3.08) DIA.
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
7° REF.
7° REF.
0.140 (3.56) DIA.
0.125 (3.17) DIA.
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
TO-263AB
Mounting Pad Layout
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.08
(2.032) MI
N.
0.15 (3.81) MIN.
0.33 (8.38) MIN.
0.42 (10.66) MIN.
12K
0.591 (15.00)
K
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0 to 0.01 (0 to 0.254)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
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0.195 (4.95)
0.624 (15.85)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
MIN.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UGB8JCT-E3/81 | DIODE 8A 600V 25NS DUAL TO263AB |
| UGB8HCT-E3/81 | DIODE 8A 500V 25NS DUAL TO263AB |
| T95Z476M010HSSL | CAP TANT 47UF 10V 20% 2910 |
| MBR2035CTHE3/45 | DIODE SCHOT 20A 35V DUAL TO220-3 |
| ISL89161FBEAZ-T | IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR2050F | 制造商:ASEMI 制造商全称:ASEMI 功能描述:Dual High-Voltage Schottky Rectifiers |
| MBR2050FCT | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:20 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
| MBR2050FCTE3/TU | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:20A, 50V, VF=0.75V, TJMAX = 175C - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20A 50V ITO220AB |
| MBR2050H | 制造商:ASEMI 制造商全称:ASEMI 功能描述:Dual High-Voltage Schottky Rectifiers |
| MBR2050PT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A,50V,DUAL SCHOTTKY Rect RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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