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参数资料
| 型号： | MBR130T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 126K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 产品目录绘图： | SOD-123FL, SOD-123 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 450mV @ 700mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 60µA @ 30V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1568 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MBR130T1GOSDKR |
    MBR130T1G, NRVB130T1G, MBR130T3G http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V V RRM RWM VR 30 V Average Rectified Forward Current (Rated VR) TL = 65 ?C IF(AV) 1.0 A Non?Repetitive Peak Surge Current (Surge Applied at Rated Load Conditions, Halfwave, Single Phase, 60 Hz) IFSM 5.5 A Storage Temperature Range Tstg ?65 to +125 ?C Operating Junction Temperature TJ ?65 to +125 ?C Voltage Rate of Change (Rated VR) dv/dt 1000 V/s Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1) R?JA 230 ?C/W Thermal Resistance, Junction to Lead (Note 1) R?JL 108 ?C/W 1. FR?4 or FR?5 = 3.5 ? 1.5 inches using a 1 inch Cu pad. ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Typ Max Unit Instantaneous Forward Voltage (Note 2) (IF = 0.1 A, T J = 25 ?C) (IF = 0.7 A, T J = 25 ?C) (IF = 1.0 A, T J = 25 ?C) VF ? ? 0.47 0.35 0.45 ? V Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2) (Rated DC Voltage, TC = 25 ?C) (VR = 5 V, T C = 25 ?C) IR 60 10 A 2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ? 2%. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TAJY477M006RNJ | CAP TANT 470UF 6.3V 20% 2917 |
| EGM10DTKS | CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD |
| PSA45-240 | POWER SUPPLY OPEN FRAME 60W |
| A3P060-TQG144 | IC FPGA 512MAC 96I/O 144TQFP |
| HCC60DREI-S13 | CONN EDGECARD 120PS .100 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR130T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier |
| MBR130T3 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR130T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR130T3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER |
| MBR140P | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
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