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参数资料
| 型号： | IXTQ130N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.1 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 104nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTH130N10T
IXTQ130N10T
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-247 (IXTH) Outline
g fs
V DS = 10V, I D = 60A, Note 1
55
93
S
C iss
C oss
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
5080
635
pF
pF
1
2
3
?P
C rss
95
pF
t d(on)
Resistive Switching Times
30
ns
t r
t d(off)
t f
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 25A
R G = 5 Ω (External)
47
44
28
ns
ns
ns
Terminals: 1 - Gate
e
2 - Drain
Q g(on)
104
nC
Dim.
Millimeter Inches
Q gs
Q gd
R thJC
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 25A
30
29
nC
nC
0.42 ° C/W
Min. Max. Min. Max.
A 4.7 5.3 .185 .209
A 1 2.2 2.54 .087 .102
A 2 2.2 2.6 .059 .098
b 1.0 1.4 .040 .055
R thCH
0.25
° C/W
b 1
b 2
1.65 2.13 .065 .084
2.87 3.12 .113 .123
C .4 .8 .016 .031
D 20.80 21.46 .819 .845
Source-Drain Diode
E 15.75 16.26 .610 .640
Symbol Test Conditions
T J = 25 ° C unless otherwise specified)
I S V GS = 0V
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
130
A
e 5.20 5.72 0.205 0.225
L 19.81 20.32 .780 .800
L1 4.50 .177
? P 3.55 3.65 .140 .144
Q 5.89 6.40 0.232 0.252
I SM
V SD
t rr
I RM
Q rr
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = 25A, V GS = 0V, Note 1
I F = 25A, V GS = 0V
-di/dt = 100A/ μ s
V R = 50V
67
4.7
160
350
1.0
A
V
ns
A
nC
R 4.32 5.49 .170 .216
TO-3P (IXTQ) Outline
Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
2. On through-hole packages, R DS(on) Kelvin test contact
location must be 5mm or less from the package body.
Pins: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source 4, TAB - Drain
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH-25-W | REMOTE CURRENT INDICATOR WHITE |
| PH-31-B | INDICATOR PANEL SPLASH PROOF BLU |
| PH-31-W | RMT INDICATOR SPLASH PROOF WHITE |
| PH-31-A | INDICATOR PANEL SPLASH PROOF AMB |
| PH-31-Y | RMT INDICATOR PLASH PROOF YELLOW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ130N10TSN | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
| IXTQ130N15T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ140N10P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ14N60P | 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ150N06P | 功能描述:MOSFET 150 Amps 60V 0.01 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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