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参数资料
| 型号： | IXTP90N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 90A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.4 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTY90N055T2 IXTA90N055T2
IXTP90N055T2
90
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 15V
300
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 15V
80
70
60
10V
9V
8V
250
200
10V
9V
7V
50
40
150
8V
30
20
10
0
6V
5V
100
50
0
7V
6V
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
90
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
V GS = 15V
2.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 45A Value vs.
Junction Temperature
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10V
9V
8V
7V
6V
5V
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10V
I D = 90A
I D = 45A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 45A Value vs.
Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.6
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
80
External Lead Current Limit
70
2.2
60
50
1.8
40
1.4
T J = 25oC
30
20
1.0
10
0.6
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M50100CC1600 | MODULE POWER 100A 600VAC |
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| IRL3714ZPBF | MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP90N075T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP90N15T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXTP98N075T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP9P15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220 |
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