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参数资料
| 型号： | IXTP70N075T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 70A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2725pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
TrenchT2 TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTA70N075T2
IXTP70N075T2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 75V
= 70A
≤ 12m Ω
Avalanche Rated
TO-263 (IXTA)
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
Maximum Ratings
75
V
G
S
(TAB)
V DGR
V GSM
I D25
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
T C = 25 ° C
75
± 20
70
V
V
A
TO-220 (IXTP)
I DM
I AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
180
40
A
A
G
D
S
(TAB)
E AS
T C = 25 ° C
300
mJ
P D
T J
T JM
T C = 25 ° C
150
-55 ... +175
175
W
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
T stg
-55 ... +175
° C
International standard packages
T L
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque (TO-220)
TO-263
TO-220
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
175°C Operating Temperature
High current handling capability
ROHS Compliant
High performance Trench
Technology for extremely low R DS(on)
Advantages
Easy to mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space savings
High power density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
75
V
Synchronous
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
2.0
4.0
± 200
V
nA
Applications
Automotive Engine Control
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 150 ° C
V GS = 10V, I D = 25A , Notes 1, 2
10
2 μ A
200 μ A
12 m Ω
Synchronous Buck Converter
(for notebook systempower & General
purpose point & load.)
DC/DC Converters
High Current Switching Applications
Power Train Management
Distributed Power Architecture
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99951A(3/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVP2120GTA | MOSFET PCH 200V VERT DMOS SOT223 |
| 1.5 X 2.25 X 0.50 | SHIELD RF STD 1.5 X 2.25 X .5" |
| 1.5 X 1.5 X .25 | SHIELD RF STD 1.5 X 1.5 X .25" |
| 1.0 X 2.0 X .25 | SHIELD RF STD 1 X 2 X .25" |
| F1857CAD1600 | MODULE DIODE 55A 600VAC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP70N085T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id70 BVdass85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP72N20T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP74N15T | 功能描述:MOSFET 74 Amps 150V 27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP75N10P | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP76N075T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id76 BVdass75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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