- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18705 > IXTP130N10T (IXYS)MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTP130N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.1 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 104nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA130N10T
IXTP130N10T
65
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
62
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
60
55
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 50V
58
54
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 50V
50
50
45
46
42
T J = 25oC
40
35
I
D
= 50A
38
34
30
T J = 125oC
30
I
D
= 25A
26
25
22
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
25
30
35
40
45
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
130
53
40
68
120
t r
t d(on) - - - -
50
t f
t d(off) - - - -
110
100
90
80
70
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 50A
I D = 25A
47
44
41
38
35
38
36
34
32
R G = 5 Ω , V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 25A
64
60
56
52
60
32
50
40
29
26
30
28
I D = 50A
48
44
30
23
20
20
26
40
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
40
70
100
170
38
36
T J = 125oC
66
62
90
80
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
25A < I
D
< 50A
150
130
34
t f
t d(off) - - - -
58
R G = 5 Ω , V GS = 10V
70
110
32
V DS = 50V
54
60
I D = 25A
90
30
50
28
T J = 25oC
46
50
I
D
= 50A
70
26
24
42
38
40
30
50
30
25
30
35
40
45
50
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_130N10T (4V) 7-29-08-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3709ZPBF | MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB |
| GLEA24E7B | SWTCH WOBBLE/COIL SPRING DPDT |
| IXFP12N50P | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 |
| CE3291-49.152 | OSC 49.152 MHZ 5.0V +/-25PPM SMD |
| GLEB24E7B | SWTCH WOBBLE/COIL SPRING DPDT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP140N055T2 | 功能描述:MOSFET 140 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP140P05T | 功能描述:MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP14N60P | 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP14N60PM | 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP152N085T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id152 BVdass85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。