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参数资料
| 型号： | IXTH40N50L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40A 500V TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 320nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH40N50L2 IXTQ40N50L2
IXTT40N50L2
Fig. 7. Input Admittance
Fig. 8. Transconductance
70
60
36
33
30
27
T J = - 40oC
25oC
50
24
125oC
40
T J = 125oC
25oC
21
30
20
10
0
- 40oC
18
15
12
9
6
3
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5 10.0
0
10
20
30
40
50
60
70
120
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
110
100
90
80
70
60
50
40
30
T J = 125oC
14
12
10
8
6
4
V DS = 250V
I D = 20A
I G = 10mA
20
10
0
T J = 25oC
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
100,000
10,000
1,000
100
f = 1 MHz
Crss
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
1.000
0.100
0.010
0.001
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 186P72 | CABLE SGL-END R/A MALE 6POS 6' |
| XREWHT-L1-0000-00C05 | LED COOL WHITE 7X9MM SMD |
| 484P4S72 | CABLE STR MALE-R/A FMAL 4POS 6' |
| 683S3ST6 | CABLE STR-R/A 3POS FMAL/FMAL 6M |
| ACCU-P 0805KIT02 | KIT CAP .1-47PF 10 EACH 30 VALUE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH41N25 | 功能描述:MOSFET 41 Amps 250V 0.072 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH420N04T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH42N15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH42N15MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH42N15MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247(5) |
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