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参数资料
| 型号： | IXTA1N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 54W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AA |
| 包装： | 管件 |
IXTA 1N100
IXTP 1N100
1.0
Fig. 1. Output Characteris tics
@ 25 o C
2.5
Fig. 2. Extended Output Characte ris tics
@ 25 o C
0.9
V GS = 10V
8V
V GS = 10V
8V
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
7V
6V
5.5V
5V
2.0
1.5
1.0
7V
6V
5.5V
0.3
0.2
4.5V
0.5
5V
0.1
0.0
0.0
4.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
1.0
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characte ris tics
@ 125 o C
2.6
V D S - Volts
Fig. 4. Norm alized R DS(on ) vs.
Junction Tem pe rature
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
V GS = 10V
7V
6V
5V
4.5V
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
V GS = 10V
I D = 1.5A
I D = 1A
0
2
4
6
8 10 12
V D S - Volts
14
16
18
20
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
2.4
Fig. 5. Norm alized R DS(on) vs . I D
1.6
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
0.5
1 1.5
I D - Amperes
2
2.5
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA1N100P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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