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参数资料
| 型号： | IXTA102N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 102A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 102A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 455W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA102N15T IXTH102N15T
IXTP102N15T IXTQ102N15T
160
Fig. 7. Input Admittance
120
Fig. 8. Transconductance
140
120
100
80
110
100
90
80
70
60
T J = - 40oC
25oC
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
50
40
30
20
10
0
150oC
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
275
250
225
200
175
150
125
9
8
7
6
5
4
V DS = 75V
I D = 51A
I G = 10mA
100
75
50
25
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1000.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
1,000
100.0
25μs
100μs
Coss
10.0
1ms
100
10
f = 1 MHz
Crss
1.0
0.1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
10ms
100ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
V DS - Volts
IXYS REF: F_102N15T(6E)90-30-08
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTA110N055T | 功能描述:MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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