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参数资料
| 型号： | IXSN50N60BD2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 75A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 350µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.85nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXSN 50N60BD2
IXSN 50N60BD3
3.0
24
4
20
2.5
T J = 125°C
R G = 10
E (ON)
20
T J = 125° C
E (OFF)
2.0
16
3
E (ON)
I C = 100A
15
1.5
E (OFF)
12
2
E (OFF)
10
1.0
0.5
8
4
1
E (ON)
E (ON)
I C = 50A
I C =25A
E (OFF)
5
0.0
0
20
40
60
80
0
100
0
0
10
20
30
40
50
0
60
I C - Amperes
Figure 7. Dependence of E ON and E OFF on I C .
20
I C =50A
R G - Ohms
Figure 8. Dependence of E ON and E OFF on R G .
600
16
V CE = 250V
100
12
8
10
T J = 125°C
R G = 6.2
dV/dt < 5V/ns
1
4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0
100
200
300
400
500
600
Q g - nanocoulombs
Figure 9. Gate Charge
1
V CE - Volts
Figure 10. Turn-off Safe Operating Area
0.1
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.0 2
D=0.01
D = Duty Cycle
Single pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pulse Width - Seconds
Figure 11. Transient Thermal Resistance
? 2000 IXYS All rights reserved
4-5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXSN50N60U1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN51N60AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN52N60AU1 | 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 3.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSN55N100U1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 61A I(C) | SOT-227B |
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