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参数资料
| 型号： | IXFK74N50P2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 74A TO264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarP2™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 74A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 77 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 165nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFK74N50P2
IXFX74N50P2
80
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
160
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
70
7V
140
60
50
40
30
20
6V
120
100
80
60
40
7V
6V
10
0
5V
20
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
25
30
80
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 10V
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 37A Value vs.
Junction Temperature
70
60
50
40
30
20
10
7V
6V
5V
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
V GS = 10V
I D = 74A
I D = 37A
4V
0
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 37A Value vs.
Drain Current
80
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.0
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
70
60
50
2.2
40
1.8
30
T J = 25oC
1.4
1.0
0.6
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DZ-10GW-1A | SWITCH LEVER DPDT 10A SLD TERM |
| DMT-8-12 | XFRMR 115/230V 5V 4A 8VA 3OUT |
| MT-8-15 | XFRMR 115V 5V 4A 8VA 3OUT |
| DZ-10GV22-1B | SWITCH BASIC DPDT 10A 430GF |
| MT-8-12 | XFRMR 115V 5V 4A 8VA 3OUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK78N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N10 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-264AA |
| IXFK80N15Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N20 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N20Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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