参数资料
型号: IXFK170N20T
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 170A 200V TO-264
标准包装: 25
系列: GigaMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 170A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 265nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 19600pF @ 25V
功率 - 最大: 1150W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装: TO-264
包装: 管件
IXFK170N20T
IXFX170N20T
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
0.100
0.010
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2009 IXYS CORPORATION, All rights reserved
IXYS REF:F_170N20T(9W)3-23-09
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PDF描述
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