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参数资料
| 型号： | IXFH4N100Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 4N100Q
IXFT 4N100Q
15
Figure 7. Gate Charge
2000
Figure 8. Capacitance Curves
Ciss
12
V DS = 600 V
I D = 3 A
I G = 10 mA
1000
Coss
f = 1MHz
9
Crss
6
3
0
100
10
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
35
T J = 25 C
Gate Charge - nC
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
10
8
6
T J = 125 O C
4
O
2
60
V DS - Volts
Figure10. Drain Current vs. Case Temperature
5
4
3
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
V SD - Volts
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees Centigrade
Figure 11. Transient Thermal Resistance
1.00
0.10
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32537B8225K | FILM CAP 2.2UF 10% 630V |
| 5120.1307.0 | MODULE PWR ENTRY 15A 250V SCREW |
| AOCJY-10.000MHZ-E-SW | OSC OCXO 10.000MHZ 3.3V SNWV SMD |
| ABM2-20.000MHZ-KV-T | CRYSTAL 20.000 MHZ 18PF SMD |
| FXO-PC536R-40 | OSC 40 MHZ 3.3V PECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH50N20 | 功能描述:MOSFET DIODE Id50 BVdass200 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH50N20 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH50N20S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-264AA |
| IXFH50N30Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH50N50P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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