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参数资料
| 型号： | IXFH20N80Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH20N80Q IXFK20N80Q
IXFT20N80Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
11
19
5100
S
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
C oss
C rss
t d(on)
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
500
170
28
pF
pF
ns
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1.5 ? (External),
27
74
ns
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t f
Q g(on)
14
150 200
ns
nC
A
A 1
A 2
b
4.7
2.2
2.2
1.0
5.3
2.54
2.6
1.4
.185
.087
.059
.040
.209
.102
.098
.055
Q gs
Q gd
R thJC
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
34
80
0.35
nC
nC
K/W
b 1
b 2
C
D
E
e
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
L
19.81
20.32
.780
.800
R thCK
TO-247
TO-264
0.25
0.15
K/W
K/W
L1
? P
Q
3.55
5.89
4.50
3.65
6.40
.140
0.232
.177
.144
0.252
R
S
4.32
6.15
5.49
BSC
.170
242
.216
BSC
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-264 AA Outline
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
20
80
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1
9
250
ns
μ C
A
Dim.
A
A1
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
2.54 2.89
Inches
Min.
Max.
.190 .202
.100 .114
TO-268 Outline
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH21N50 | 功能描述:MOSFET 500V 21A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH21N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH21N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH21N50Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH21N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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