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参数资料
| 型号： | IXFH13N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 11N80
IXFM 11N80
IXFH 13N80
IXFM 13N80
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T J = 25 ° C
V GS = 10V
8V
7V
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T J = 25 ° C
V DS = 10V
0
2
4
6
8
10
12
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V DS - Volts
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
V GS - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
1.40
1.35
1.30
1.25
1.20
1.15
T J = 25 ° C
V GS = 10V
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
V GS = 15V
1.25
1.00
0.75
0.50
I D = 6.5A
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
18
I D - Amperes
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
1.2
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
16
14
12
10
8
6
13N80
11N80
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
V GS(th)
BV DSS
4
2
0
0.6
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK200N10P | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 |
| XPEWHT-L1-R250-00B01 | LED COOL WHITE 700MA SMD |
| 512S2P36 | CABLE STR FEMALE-MALE 2POS 3' |
| XMLHVW-Q0-0000-0000LT453 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
| 512P2S36 | CABLE STR MALE-FEMALE 2POS 3' |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH13N80Q | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH13N90 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 900V 0.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH140N10P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH14N100 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH14N100Q2 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.90 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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