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参数资料
| 型号： | IXEN60N120D1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 100A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 800µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 445W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXEN 60N120
IXEN 60N120D1
120
A
VGE = 17 V
15 V
13 V
11 V
120
A
VGE = 17 V
15 V
13 V
I C
100
I C
100
11 V
80
60
80
60
9V
40
9V
40
20
0
T VJ = 25°C
20
0
T VJ = 125°C
0
1
2
3
V
4
0
1
2
3
V 4
160
V CE
Fig. 1 Typ. output characteristics
160
V CE
Fig. 2 Typ. output characteristics
A
V CE = 20 V
A
I C
120
I F
120
T VJ = 125°C
80
80
40
0
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
40
0
T VJ = 25°C
4
6
8
10
12
V 14
0
1
2
V
3
V GE
Fig. 3 Typ. transfer characteristics
V F
Fig. 4 Typ. forward characteristics of
free wheeling diode
20
100
300
V
A
trr
ns
V GE
15
I RM
80
60
240
180
t rr
10
40
T VJ = 125°C
120
5
V CE = 600 V
I C
= 50 A
20
IRM
V R = 600 V
I F = 60 A
60
0
0
100
200
300
400 nC 500
0
0
200
400
600
IXEN60N120
A/
800 μ s 1000
0
Q G
Fig. 5 Typ. turn on gate charge
? 2003 IXYS All rights reserved
-di/dt
Fig. 6 Typ. turn off characteristics of
free wheeling diode
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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