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参数资料
| 型号： | IXBN75N170A |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TRANS BIPO 1700V SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | BIMOSFET™ |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1700V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 6V @ 15V，42A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 7.4nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
Advance Technical Information
BIMOSFET TM Monolithic
Bipolar MOS Transistor
IXBN 75N170A V CES
I C25
V CE(sat)
t fi
= 1700
= 75
= 6.0
= 60
V
A
V
ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXBN)
V CES
V CGR
V GES
V GEM
I C25
I C90
I CM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GE = 1 M ?
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 90 ° C
T C = 25 ° C, 1 ms
1700
1700
± 20
± 30
75
42
240
V
V
V
V
A
A
A
E153432
G
E
C
E
SSOA
(RBSOA)
T SC
(SCSOA)
P C
V GE = 15 V, T VJ = 125 ° C, R G = 10 ?
Clamped inductive load
V GE = 15 V, V CES = 1200V, T J = 125 ° C
R G = 10 ? non repetitive
T C = 25 ° C
I CM =
V CES =
100
1350
10
500
A
V
μ s
W
G = Gate C = Collector
E = Emitter
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Emitter
T J
T JM
-55 ... +150
150
° C
° C
T stg
M d
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
-55 ... +150 ° C
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
Features
High Blocking Voltage
Weight
30
g
Fast switching
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Isolation voltage 2500V
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
AC motor speed control
Uninterruptible power supplies (UPS)
BV CES
V GE(th)
I C
I C
= 250 μ A, V GE = 0 V
= 1500 μ A, V CE = V GE
1700
2.5
5.5
V
V
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
Substitutes for high voltage MOSFETs
I CES
I GES
V CE = 0.8 V CES
V GE = 0 V
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
50
1.5
± 200
μ A
mA
nA
Advantages
Lower conduction losses than MOSFETs
High power density
V CE(sat)
I C
= I C90 , V GE = 15 V
T J = 125 ° C
4.5
5.0
6.0
V
V
Easy to mount with 2 screws
Space saving
? 2002 IXYS All rights reserved
98938 (7/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXBN75N170 | IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B |
| IXDN55N120D1 | IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B |
| IXDN75N120 | IGBT 1200V 150A SOT-227B |
| IXEN60N120D1 | IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B |
| IXGE200N60B | IGBT 600V ISOPLUS227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXBOD 1-08 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
| IXBOD1-06 | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 600V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| IXBOD1-07 | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 700V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| IXBOD1-08 | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 800V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| IXBOD1-09 | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 900V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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