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参数资料
| 型号： | IXBN75N170 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | BIMOSFET™ |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1700V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.1V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 145A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 25µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 6.93nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXBN75N170
Fig. 7. Transconductance
Fig. 8. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
90
80
70
60
T J = - 40oC
125oC
25oC
300
250
200
T J = 25oC
T J = 125oC
50
150
40
30
100
20
50
10
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
16
I C - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
100,000
V F - Volts
Fig. 10. Capacitance
14
V CE = 850V
I C = 75A
f = 1 MHz
12
I G = 10mA
10,000
Cies
10
8
1,000
Coes
6
4
100
Cres
2
0
10
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
0
5
10
15
20
25
30
35
40
160
Q G - NanoCoulombs
Fig. 11. Reverse-Bias Safe Operating Area
1.000
V CE - Volts
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
140
120
0.100
100
80
60
40
20
T J = 125oC
R G = 1 ?
dV / dt < 10V / ns
0.010
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V CE - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDN55N120D1 | IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B |
| IXDN75N120 | IGBT 1200V 150A SOT-227B |
| IXEN60N120D1 | IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B |
| IXGE200N60B | IGBT 600V ISOPLUS227 |
| IXGN120N60A3 | IGBT 200A 600V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXBN75N170A | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 1700V 6.00 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXBOD 1-08 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
| IXBOD1-06 | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 600V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| IXBOD1-07 | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 700V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| IXBOD1-08 | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 800V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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