- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18788 > IRL3714ZPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRL3714ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.55V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 35W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1518 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRL3714ZPBF |
IRL3714Z/S/LPbF
1000
VGS
1000
VGS
TOP
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
TOP
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
100
BOTTOM
3.0V
100
BOTTOM
3.0V
10
10
3.0V
3.0V
30μs PULSE WIDTH
30μs PULSE WIDTH
1
Tj = 25°C
1
Tj = 175°C
0.1
1
10
0.1
1
10
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000
2.0
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
I D = 36A
VGS = 10V
100
10
1.0
TJ = 25°C
T J = 175°C
VDS = 10V
30μs PULSE WIDTH
1.5
1.0
0.5
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F1842CAD1000 | MODULE DIODE 40A 380VAC |
| F1827RD400 | MODULE DIODE 25A 120VAC |
| PF24-20 | TRANSFORMER LO PRO 10VAC 2.4A |
| 1.0 X 1.5 X .5 | SHIELD RF STD 1 X 1.5 X .5" |
| PF24-24 | TRANSFORMER LO PRO 12VAC 2.0A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3714ZS | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3714ZSHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 36A 3PIN D2PAK - Bulk |
| IRL3714ZSPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 36A 4.8nC 16mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3714ZSTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3714ZSTRLPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 6.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。