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参数资料
| 型号： | IRFSL9N60A |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 170W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFSL9N60A |
IRFSL9N60A, SiHFSL9N60A
Vishay Siliconix
2400
2000
V GS
C is s
C rss
C o ss
=
=
=
=
0 V , f = 1M H z
C g s + C g d , C d s S H O R TE D
C gd
C ds + C gd
100
C iss
T J = 25 C
1600
1200
800
C oss
10
1
T J = 150°C
°
400
C rss
0
1
10 100
V D S , D rain-to-S ource V olta ge (V )
1000
A
0.1
0.2
VGS = 0 V
0.5 0.7 1.0 1.2
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
V DS = 480V
20
16
I D = 9.2A
400V
V DS = 300V
V DS = 120V
1000
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
12
10us
10
100us
8
1ms
1
T J = 150 C
4
0
0
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
10 20 30 40 50
Q G , Total Gate Charge (nC)
0.1
10ms
T C = 25 ° C
°
Single Pulse
10 100 1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
10000
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
4
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
Document Number: 90362
S11-1045-Rev. C, 30-May-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASSVP-R-C15 | OSC PROG 3.3V 25PPM CTR SPRD SMD |
| MA3216-301S4 | BEAD FERRITE 300 OHM 200MA 3216 |
| PVG5H502C03R00 | TRIMMER 5K OHM 0.25W SMD |
| NOJY337M001RWJ | CAP NIOB OXIDE 330UF 1.8V 2917 |
| NOJC227M002RWJ | CAP NIOB OXIDE 220UF 2.5V 2312 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFSL9N60APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL9N60ATRL | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFSL9N60ATRR | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFSZ14A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| IRFSZ20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 13A I(D) | SOT-186 |
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