- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18705 > IRF3709ZPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF3709ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 87A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.3 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2130pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1518 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF3709ZPBF |
IRF3709Z/S/LPbF
1000
1000
TOP
BOTTOM
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
100
TOP
BOTTOM
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
100
3.0V
10
3.0V
10
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000
2.0
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
I D = 42A
VGS = 10V
100
T J = 175°C
1.5
10
1.0
1
T J = 25°C
0.1
VDS = 15V
≤ 60μs PULSE WIDTH
0.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLEA24E7B | SWTCH WOBBLE/COIL SPRING DPDT |
| IXFP12N50P | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 |
| CE3291-49.152 | OSC 49.152 MHZ 5.0V +/-25PPM SMD |
| GLEB24E7B | SWTCH WOBBLE/COIL SPRING DPDT |
| GLAC06A1B | SWITCH ROTARY SIDE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3709ZS | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3709ZSPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 6.3mOhm HEXFET 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3709ZSTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3709ZSTRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3709ZSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。