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参数资料
| 型号： | IR2184PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 11/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 680ns |
| 电流 - 峰： | 1.9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1381 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IR2184PBF |
IR2184 ( 4 )(S) & (PbF)
6
5
4
6
5
4
3
2
1
0
M ax.
3
2
1
0
M in.
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
6
5
4
Supply Voltage (V)
Figure 11B. Logic "0" Input Voltage
vs. Supply Voltage
Temperature ( o C)
Figure 12A. SD Input Positive Going Threshold
vs. Temperature
5
4
3
3
2
1
0
M in.
2
1
0
M ax.
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Supply Voltage (V)
Figure 12B. SD Input Positive Going Threshold
vs. Supply Voltage
www.irf.com
Temperature ( o C)
Figure 13A. SD Input Negative Going Threshold
vs. Temperature
11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR21084SPBF | IC DRIVER HALF BRIDGE 14SOIC |
| EBM24DSEH | CONN EDGECARD 48POS .156 EYELET |
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| CKP2012N4R7M-T | INDUCTOR 4.7UH MULTILAYER 0805 |
| LBC3225T4R7MR | INDUCTOR WOUND 4.7UH 680MA 1210 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2184S | 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2184SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V 1.4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2184STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V 1.4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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