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参数资料
| 型号： | IR2010PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP |
| 标准包装： | 25 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 95ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 200V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1380 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IR2010PBF |
IR2010( S )(TR) & (PbF)
500
400
300
500
400
300
200
max
200
max
100
0
typ
100
0
typ
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14
16
18
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-50
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0
25
50
75
100
125
V BS Floating Supply Voltage (V)
Figure 17B. Vbs Supply Current vs. V BS Voltage
500
Temperature (C)
Figure 18A. Vcc Supply Current vs. Temperature
20
400
15
300
10
200
max
max
5
100
0
typ
0
typ
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
8
V CC Voltage (V)
Figure 18B. Vcc Supply Current vs. V CC Voltage
Temperature (C)
Figure 19A. Vdd Supply Current vs. Temperature
100
80
6
4
2
0
max
typ
60
40
20
0
max
typ
2
4
6
8
10
12
14
16
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20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
V DD Voltage (V)
Figure 19B. Vdd Supply Current vs. V DD Voltage
Temperature (C)
Figure 20A. Logic ?1? Input Current vs. Temperature
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R1S12-2409/H-R | CONV DC/DC 1W 24VIN 09VOUT |
| IR2110SPBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC |
| IRS21814SPBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-SOIC |
| EEM24DTAH | CONN EDGECARD 48POS R/A .156 SLD |
| CKP2012N1R0M-T | INDUCTOR 1.0UH MULTILAYER 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2010S | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DRVR 200V 3A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 16-Pin SOIC W |
| IR2010SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HI & LO SIDE DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2010SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DRIVER IC 制造商:International Rectifier 功能描述:IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SOIC16 |
| IR2010STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2011 | 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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