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参数资料
| 型号： | INA333AIDGKTG4 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 12/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INST AMP PREC LOW PWR 8-MSOP |
| 视频文件： | INA333 Zero-Drift Instrumentation Amp |
| 标准包装： | 250 |
| 放大器类型： | 仪表 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 0.16 V/µs |
| -3db带宽： | 150kHz |
| 电流 - 输入偏压： | 70pA |
| 电压 - 输入偏移： | 10µV |
| 电流 - 电源： | 50µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 40mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V，±0.9 V ~ 2.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
PIN CONFIGURATIONS
V
IN-
V
IN+
V-
R
G
V+
V
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
INA333
R
G
REF
R
G
V
IN-
V
IN+
V-
R
G
V+
V
OUT
REF
1
2
3
4
8
7
6
5
Exposed
Thermal
DiePad
on
Underside
INA333
SBOS445B – JULY 2008 – REVISED OCTOBER 2008 ..................................................................................................................................................... www.ti.com
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with
appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may be more
susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications.
PACKAGE/ORDERING INFORMATION(1)
PRODUCT
PACKAGE-LEAD
PACKAGE DESIGNATOR
PACKAGE MARKING
MSOP-8
DGK
I333
INA333
DFN-8
DRG
I333A
(1)
For the most current package and ordering information see the Package Option Addendum at the end of this document, or see the TI
web site at www.ti.com.
INA333
UNIT
Supply voltage
+7
V
Analog input voltage range(2)
(V–) – 0.3 to (V+) + 0.3
V
Output short-circuit(3)
Continuous
Operating temperature range, TA
–40 to +150
°C
Storage temperature range, TA
–65 to +150
°C
Junction temperature, TJ
+150
°C
Human body model (HBM)
4000
V
ESD rating
Charged device model (CDM)
1000
V
Machine model (MM)
200
V
(1)
Stresses above these ratings may cause permanent damage. Exposure to absolute maximum conditions for extended periods may
degrade device reliability. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond
those specified is not implied.
(2)
Input terminals are diode-clamped to the power-supply rails. Input signals that can swing more than 0.3V beyond the supply rails should
be current limited to 10mA or less.
(3)
Short-circuit to ground.
DGK PACKAGE
DRG PACKAGE
MSOP-8
DFN-8
(TOP VIEW)
2
Copyright 2008, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): INA333
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZW04P136B-E3/54 | TVS 400W 136V 7% BIDIR DO-204AL |
| MAX4168ESD+T | IC OP AMP R-R I/O W/SD 14-SOIC |
| GSAP 5-R | FUSE 5A 250VAC AXIAL SLOW |
| MAX4453EKA+T | IC OP AMP R-R SS SOT23-8 |
| BZW04P136-E3/54 | TVS 400W 136V 7% UNIDIR DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| INA333AIDRGR | 功能描述:仪表放大器 Lo Pwr Prec Instr Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk |
| INA333AIDRGT | 功能描述:仪表放大器 Lo Pwr Prec Instr Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk |
| INA333-HT | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:Micro-Power, Zer?-Drift, Rail-to-Rail Out Instrumentation Amplifier |
| INA333SHKJ | 功能描述:仪表放大器 Low Pwr,Prec Instr Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk |
| INA333SHKQ | 功能描述:仪表放大器 Low Power,Prec Instr Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk |
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