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参数资料
| 型号： | IDT7142SA100C |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 12/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP |
| 标准包装： | 8 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 48-SIDE BRAZED |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7142SA100C |
IDT7132SA/LA and IDT 7142SA/LA
High Speed 2K x 8 Dual Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (2,3,4)
t WC
ADDR "A"
MATCH
t WP
R/ W "A"
t DW
t DH
t APS
DATA IN"A"
ADDR "B"
(1)
VALID
MATCH
t BAA
t BDA
t BDD
BUSY "B"
t WDD
DATA OUT"B"
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t APS is ignored for Slave (IDT7142).
t DDD
VALID
2692 drw 11
2.
3.
CE L = CE R = V IL
OE = V IL for the reading port.
4. All timing is the same for the left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is opposite from port "A".
Timing Waveform of Write with BUSY (4)
t WP
R/ W "A"
t WB (3)
BUSY "B"
t WH (1)
R/ W "B"
(2)
,
2692 drw 12
NOTES:
1.
2.
t WH must be met for both BUSY Input (IDT7142, slave) or Output (IDT7132, master).
BUSY is asserted on port "B" blocking R/ W "B" , until BUSY "B" goes HIGH.
3. t WB applies only to the slave version (IDT7142).
4. All timing is the same for the left and right ports. Port 'A' may be either the left or right port. Port "B" is opposite from port "A".
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XF2L-0835-1A | CONNECTOR FPC 8POS 0.5MM SMD |
| GMC49DTEF | CONN EDGECARD 98POS .100 EYELET |
| FMC40DRES-S734 | CONN EDGECARD 80POS .100 EYELET |
| IDT709289L9PFI8 | IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP |
| IDT709289L7PF8 | IC SRAM 1MBIT 7NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7142SA100CB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 16KBIT 100NS SB48 |
| IDT7142SA100J | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 100NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7142SA100J8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 100NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7142SA100L48B | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 16KBIT 100NS 48LCC |
| IDT7142SA100P | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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