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参数资料
| 型号： | IDT7133SA35G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 32KBIT 35NS 68PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 32K（2K x 16） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-BPGA |
| 供应商设备封装： | 68-PGA（29.46x29.46） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7133SA35G |
IDT7133SA/LA, IDT7143SA/LA
High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Data Retention Characteristics
(LA Version Only) V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V
7133LA/7143LA
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
V CC = 2V
Test Condition
Min.
2.0
Typ. (1)
___
Max.
___
Unit
V
I CCDR
Data Retention Current
CE > V HC
MIL. & IND.
___
100
4000
μA
V IN > V HC or < V LC
COM'L.
___
100
1500
t CDR
t R (3)
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
0
t RC (2)
___
___
___
___
V
V
NOTES:
1. Vcc = 2V, T A = +25°C, and are not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed by device characterization but is not production tested.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
2746 tbl 08
V CC
CE
t CDR
4.5V
V IH
V DR > 2V
V DR
4.5V
V IH
t R
2746 drw 05
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
GND to 3.0V
5ns Max.
1.5V
DATA OUT
5V
1250 ?
Output Reference Levels
Output Load
1.5V
Figures 1, 2 and 3
775 ?
30pF
2746 tbl 09
Figure 1. AC Output Test Load
DATA OUT
5V
1250 ?
BUSY
5V
270 ?
775 ?
5pF*
30pF
2746 drw 06
Figure 2. Output Load
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
*Including scope and jig
6.42
Figure 3. BUSY Output Load
(IDT7133 only)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V9389L9PRFI | IC SRAM 1.125MBIT 9NS 128TQFP |
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| IDT70V9389L7PRF | IC SRAM 1.125MBIT 7NS 128TQFP |
| 15-38-8170 | CONN FFC FEMALE 17POS .100 TIN |
| 15-38-8160 | CONN FFC FEMALE 16POS .100 TIN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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